Обозначение «Вч03605» чаще всего встречается в контексте поиска информации о силовом полевом транзисторе MDV3605 от компании Magnachip Semiconductor. Ниже представлен подробный обзор этого компонента на основе официальной технической документации (даташит версии 1.3, январь 2021 года).
Общее описание
MDV3605 — это одиночный P-канальный траншейный (Trench) MOSFET, разработанный с применением передовой технологии Magnachip. Ключевая особенность прибора — низкое сопротивление в открытом состоянии (RDS(on)), что делает его оптимальным выбором для задач управления питанием и коммутации нагрузки.
Основные сферы применения:
- системы управления питанием (Power Management);
- коммутация нагрузки (load switching);
- ноутбуки и портативные аккумуляторные блоки;
- интеллектуальные модули для аккумуляторов ноутбуков (Smart Module for Note PC Battery);
- применения общего назначения.
Ключевые электрические характеристики
Предельные значения (при Ta = 25 °C)
| Параметр | Обозначение | Значение | Единица |
|---|---|---|---|
| Напряжение сток–исток | VDSS | −30 | В |
| Напряжение затвор–исток | VGSS | ±25 | В |
| Непрерывный ток стока (ограничение корпуса, TC=25 °C) | ID | −29,0 | А |
| Непрерывный ток стока (кремний, TC=70 °C) | ID | −24,0 | А |
| Импульсный ток стока | IDM | −80,0 | А |
| Рассеиваемая мощность (TA=25 °C) | PD | 3,4 | Вт |
| Энергия одиночного лавинного импульса | EAS | 60,5 | мДж |
| Температура перехода и хранения | TJ, Tstg | −55…+150 | °C |
Сопротивление в открытом состоянии
- менее 18,0 мОм при VGS = −10 В;
- менее 25,0 мОм при VGS = −4,5 В;
- ток стока ID = −20 А при VGS = −10 В.
Тепловые характеристики
- Тепловое сопротивление переход–окружающая среда (RθJA): 36 °C/Вт;
- Тепловое сопротивление переход–корпус (RθJC): 5,0 °C/Вт.
Корпус и информация для заказа
Транзистор выпускается в компактном корпусе PDFN33 (3×3 мм), что обеспечивает малые габариты при хорошем теплоотводе — важное преимущество для портативной техники.
| Артикул | Температурный диапазон | Корпус | Упаковка |
|---|---|---|---|
| MDV3605URH | −55…+150 °C | PDFN33 | Лента (Tape) |
Преимущества компонента
- Низкие потери проводимости благодаря малому RDS(on) — меньше нагрев и выше КПД устройства.
- Высокий импульсный ток до −80 А позволяет выдерживать кратковременные перегрузки.
- Лавинная стойкость (60,5 мДж) повышает надёжность при коммутации индуктивных нагрузок.
- Широкий температурный диапазон — от −55 до +150 °C.
- Компактный корпус, подходящий для плотного монтажа в ноутбуках и аккумуляторных модулях.
MDV3605 от Magnachip, это современный P-канальный MOSFET, оптимизированный для систем управления питанием портативной электроники. Сочетание низкого сопротивления канала, высокой токовой нагрузочной способности и компактного корпуса PDFN33 делает его востребованным решением для разработчиков ноутбуков, аккумуляторных блоков и других устройств с батарейным питанием.
При проектировании устройств всегда сверяйтесь с актуальной версией официального даташита производителя.